一·真空生长炉 科研对晶体生长过程 设备用途
设备主要用于科研对晶体生长过程，可用于制备氧化物单晶和金属单晶晶体制备，如蓝宝石、GGG，YAG，LaAlO3，Si和Ge等
二·真空生长炉 科研对晶体生长过程 产品特点
1·模块化设计，结构紧凑，外形美观，
2·采用侧部开门，结构精巧，方便，移动平稳装卸料方便
3· 采用触摸屏+plc控制方式，自动化程度高，操作直观，功能强大。
4· 在触摸屏内可预存几十种烧结工艺，一次编辑，以后直接调用使用，省去多次编辑工艺的麻烦，避免输入错误，烧坏产品。
5· 烧结的温度，真空度，等数据可实时记录，也可随时启动停止记录，减少无用数据，数据可查询，可导出下载。
6· 烧结温度高，用石墨坩埚，最高可达2100℃，
三·设备参数
1·设备总功率：≤35Kw；电源电压：3相380V,50Hz
2·最高温度：2100℃ 加热功率 ≤25Kw 三相380V 30-80KHz 高频感应加热
3·额定温度：室温~2100℃
4. 感应线圈尺寸：Ф90×100mm（直径×高，） 中间设置保温层坩埚底放置线圈内部，防止底部材料固化。
6·腔体尺寸卧式Ф400Ф500mm（暂定）
7.测温系统： 在坩埚侧部设计测温孔 配置红外测温仪和欧陆程序仪表
9. 提拉速度： 慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）
10. 提拉杆旋转速度0.1-25r/min
11. 提拉杆升降快速速度：≤35mm/min
12. 提拉行程：≤300mm
13. 炉内充气压力：≤0.03MPa
14. 冷态极限真空度：6.7*10-4pa（配置真空计，真空规管配置油陶瓷防腐涂层）
